基于0.18 μm SiGe BiCMOS工藝，設計了應用于一款“10-Gbps 跨阻放大器（TIA）”芯片的帶隙基準電壓源。該帶隙基準電壓源工作在3.0 V～3.6 V的電源電壓下，輸出基準參考電壓為1.2 V，溫度系數為10.0 ppm/℃,低頻時電源抑制比為-69 dB，具有良好的性能。應用該帶隙基準電壓源完成了TIA芯片中偏置電路模塊的設計，該偏置電路除了提供偏置電流外，還具備帶寬調節功能，可實現對TIA輸出電壓信號帶寬進行7.9 GHz、8.9 GHz、9.8 GHz和10.1 GHz四檔調節，提高了TIA芯片的應用性。目前，帶隙基準電壓源與偏置電路隨TIA芯片正在進行MPW（多項目晶圓）流片。