本資源包括微納電子器件課程的全部課后思考題，包括等比例縮小(Scaling-down)定律、CMOS器件的“Heat death”、MOS中絕緣層減薄帶來的負效應、EOT的概念 、“HKMG”、? 窄溝道效應 、熱載流子（HCE）效應、源漏穿通及次開啟抑制措施、 遷移率的退化和漂移速度飽和、小尺寸MOS器件的物理效應對閾值電壓的影響、漏工程、溝道工程、柵工程、SOI器件、3D集成、TSV的原理、MCP，3D IC, SIP、SOP、SOC、碳納米管、引線的電遷移現象等內容，總結非常詳細，內容十分豐富，特別適合期末考試復習使用。