燒結溫度對SiO2-TiO2薄膜親水性的影響， 夏添，郭憲英，為了確定SiO2-TiO2薄膜制備過程的最佳燒結溫度，實驗將不同SiO2與TiO2摻雜比的樣品分別在400°和500°下煅燒，然后進行與水的靜態接觸角測