1 GaN 功率管的發展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS 管向以碳化硅 （ SiC ）、氮鎵 （ GaN ） 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優點，與剛石等半導體材料一起，被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。SiC 功率器件在 C 波段以上受頻率的限制，也使其使用受到一定的限制；GaN 功率管因其大功率容量等特點，成為發較快的寬禁帶器件。GaN 功率管因其高擊穿電壓、高線性性能、高效率等優勢，已經在無線通信基站、廣播電視、電臺、干擾機、大功率雷達、電子對抗、衛星通信等領域有著廣泛的應用和良好的使用前景。GaN 大功率的輸出都是采用增加管芯總柵寬的方法來提高器件的功率輸出，這樣使得管芯輸入、輸出阻抗變得很低，引入線及管殼寄生參數對性能的影響很大，一致直接采用管殼外的匹配方法無法得到大的功率輸出甚至無法工作。解決方法就是在管殼內引