開關(guān)電源小型化設(shè)計中，提高開關(guān)頻率可有效提高電源的功率密度。但隨著開關(guān)頻率提升，電路電磁干擾（EMI）問題使電源工程師面臨了更大的挑戰(zhàn)。本文以反激式開關(guān)拓撲為例，從設(shè)計角度，討論如何降低電路EMI。為提高開關(guān)電源的功率密度，電源工程師首先想到的辦法是選擇開關(guān)頻率更高的MOSFET,通過提高開關(guān)速度可以顯著地減小輸出濾波器體積，從而在單位體積內(nèi)可實現(xiàn)更高的功率等級。但是隨著開關(guān)頻率的提高，會帶來EMI特性的惡化，必須采取有效的措施改善電路的EMI特性開關(guān)電源的功率MOSFET安裝在印制電路板上，由于印制電路板上MOSFET走線和環(huán)路存在雜散電容和寄生電感，開關(guān)頻率越高，這些雜散電容和寄生電感更加