給出一低功耗、低溫度系數的電壓基準源電路的設計。其特點是利用工作在弱反型區晶體管的特性,該電壓基準源采用CSMC 0.5μm,兩層POLY,一層金屬的CMOS工藝實現,芯片面積為0.036 75 mm2。測試結果表明:其最大工作電流不超過380 nA;在2.5~6 V工作電壓下,線性調整率為0.025%;4 V輸入電壓;20~100℃范圍內,平均溫度系數為64 ppm/℃。以更小的面積,更低的功耗實現了電壓基準源的性能。