xilinx平臺DDR3設(shè)計教程之應(yīng)用篇_中文版教程
⊥3 clk 0n叫 d dout[511+0 04_040404*總05050505500 這下圖夠大了吧? 寫入fifo的din在wren使能范圍內(nèi),是2020開始,順序遞增的。 而讀岀fifo的dout在wren使能范圍內(nèi),第一個數(shù)據(jù)是初始值,而不是從fo里讀出 的第一個數(shù)據(jù)2020,注意到這一點沒有? 那么,如果你希望從DDR條子的0地址開始寫入第一個進入FO的有效數(shù)據(jù),你 該怎么辦 是不是看得腦了有點亂?沒關(guān)系,我們下一頁繼續(xù)放大了講。 aPp_En dq_0(UireDelay) 354 (app_Wdf_data) (example_ top 4 aPp udf end app wdf end? PPud西sk) app_h rf_ app_lirlf_luren) 12(Fifo_512) multiple_err app_ecc_multiple_err pp_rd dat a_end app_rd- data_end) 11k1 pp_rd_data_valid Capp_rd_data_valid) pp_rdy, 」Scl<ib〔lk_ibu*) p數(shù)山Fr山g <Novas:nWave: 2>/home/common share/Frank/D DR3_SIM/example_design/ sim/fsdb_DDR3_waveform_level7 fsdb IFile Exploration Signa: Wieu waveform Analog Tools Window 合E萬的1313065060,0趴f++x1 1300000 1310.000 11300.00000 13300.00000 wr cle 「「「 din51010990910-00o02030405006080y080)0衛(wèi)0。如de0)DF20D111212“1313“44“5 2 .clk 1ruuuuuuuuuuuuuuuuuuuuyuuuu-Luuuuuuuuuuuuuu daut[5l1:訂] O唱"04則25050557707070707076707072070707 app_addr[28: 01 1fff_fff lfff ff app_cmd[ 2: 0] L「1 app_wdf_data[ 511: 0] 004_0422平105_05050505007207070707-070720707-0707207平平 app_wdf_end 2m單第,14,兇 11300的1 粵G1 Ik 1LLLLLLLLLLLLLLLLLLLT 2￥03004005E00207_00009030“上。_0d0長0=0D000“2122313244“55 1IUWUULUULULUUULLUUUULLUUULLLLLLLLJULLULLLLL dot[5110] patr[28:011F6 1fff ffF app_cmd[2-0] apP_wdf_data[511: 0] 0 =PP_wdf_wrer app_rdy 看到地址了沒? 就是app_add,我們把他的初始值設(shè)為1f-ff8,這是整條4GB的DDR條子 的最后一個地址,它再加上29"h8,就又回到首地址29"hO。 如此,地址29"h0寫入的值就是第一個進fifo的2020。 等等,這里為啥地址每次都加上29h8? 你知不知道 burst leng這一說? 默認的 burst length是8,地址自然每次加上8 不知道突發(fā)模式寫DDR的,你還是百度一下DDR的基礎(chǔ)知識吧 11300的1 粵G1 Ik 1LLLLLLLLLLLLLLLLLLLT 2￥03004005E00207_00009030“上。_0d0長0=0D000“2122313244“55 1IUWUULUULULUUULLUUUULLUUULLLLLLLLJULLULLLLL dot[5110] patr[28:011F6 1fff ffF app_cmd[2-0] apP_wdf_data[511: 0] 01 =PP_wdf_wrer app_rdy 除了地址要打個提前量之外,這個圖上值得注意的是各種用戶接口信號的時序。 句話,就是“對齊” 那就是設(shè)計教程里講的,一次成功的寫入,需要地址系統(tǒng)和數(shù)據(jù)系統(tǒng)的各白對齊 并且我這個例子里面,地址系統(tǒng)和數(shù)據(jù)系統(tǒng)相互之間也是對齊的。 再具體的講,把能對齊的全都給對齊了,自然就搞定了。 此外,如圖所示, app rdy可以獨立拉高,它只表示DDR是準備好了,而你可以 不去理它。 1+0l21+c1 bank_macr_ncxt. LBanltMmcch ncxt 當11 undefined module 48 E49/, ApP-icaticn interface ports a cenblk1 r? IL_ddr3_clk_ibu=(clk_ibuf app_en) dd3_ infrastructure (infrastr odelay_ctrl〔 odelay.ctr1 E54 E55 df end L_memc_ui_top_std (menc_ui_top app_udf_rask Capp_wdf_mask) app_udf_aren Capp_wdf wren <Novas:nWave:3>/home/common share/ Frank/DDR3 SIM/example_design/sim/fsdb_ DDR3_ waveform_level7 old fsdb Fi.e Exploration ignal View Wave=orm Analog Tools Window Help 156206恥++x13-m 115.55.m,nm 1156p., 二5m.0單, 753 ing=G1 app_addrE2r0」 0升8 810(1329_2850 34宮 2 d data valid 至此,寫入已經(jīng)ok 那么怎么讀出來 看上面的圖,光標線,注意到圖上黃色光標虛線沒?什么你還沒看到? 那你看到 app cmd的0和1兩個值的分界線了嗎? 拉高 app en,同時給出你要讀的地址 然后你就等到 app rd data valid拉高吧。 1130000 14,0000O0 12.00 110000 1(009000 pr_cmd[2: 0] appaddr[ 28: 0] app_rd_data[ 511; 0] D77EN2626252二 app_rd_data_wali= 到 app rd data valid拉高,是要過一陣的。 放大,就是下面的圖 Capp wdf uren? 588 iPPecc_multiple_err app_ecc _nultiple_err) cdr3_clk_buf (clk_ ibuf rd da dr3 infr astructure (infrastr app_rd_data_end Capp_rd__data_end) odelay_c-rl (iodelayctrl .app_rd_data_walid (app_rd_data_walid) rem=_ui_top_std (memc_ui_tos check_frank (wave_check_fran aPp_udf_電 Capp_udf_rdy) PPsr_r日 Capp_sr_req) <Novas: nWave: 3> /home/common share/ Frank/DDR3 SIM/example designisim/fsdb dDR3 waveform level7 old fsdb File Exploration Signal Wiew waveform Anal3g Tools window 函芒“3影1123456,0 24則仰盼++x15 斗toto:G 5.859000 115959,00090 100000 app_rd_data[ 511+ 0 講一點關(guān)于收尾的工作。 剛剛講的是怎么把開頭的數(shù)據(jù)寫對 事實上如何把最后一個寫入FIF○的數(shù)據(jù)剛好讀出,相對麻煩一點。 還有處理fifo被讀空,但是后續(xù)還有數(shù)據(jù)公寫入的情況,也比較麻煩。 大致的思路是,在fo可能被讀空的時候,發(fā)現(xiàn)flo里還剩一個數(shù)據(jù)的 時候就停止讀取(這會用到fo的 almost empty信號)。 這樣fo被讀空的時候,最后一個數(shù)據(jù)會留在數(shù)據(jù)總線上,等到下次 激發(fā)寫DDR功能的時候,第一個數(shù)據(jù)就直接被打入DDR 對最后一個數(shù)據(jù),需要一個獨立的處理機制來處理,確認fifo被讀空 之后才停止讀取ffo和與入DDR 這部分內(nèi)容相對復(fù)雜,但是我相信你只要花吋間就一定可以調(diào)出來。 我是寫了一個8個狀態(tài)的狀態(tài)機來實現(xiàn)的。 每個人的應(yīng)用需求不一樣,代碼還是各人寫各人的吧 好了,DDR的四部教程先寫到這里了