在大型強子對撞機上執行SM精密測試的一種有前途的途徑是測量高不變質量的微分截面，以這種方式利用由繁重的新物理學引起的校正能量的增長。 我們對縱向狄布森和相關的希格斯生產過程中主要的隨能量增長效應進行了分類，表明它們可以封裝在四個真實的“高能量主要”參數中。 我們在大型強子對撞機和未來的強子對撞機上評估這些參數的可及范圍，尤其著重于看起來特別有前途的全輕子W Z通道。 發現該范圍比現有約束條件高一個數量級，從而在與LEP邊界競爭的情況下，在每毫米水平上測試了SM電弱扇區。 與LHC run-1邊界僅適用于比分布的高能尾部中的SM大得多的新物理效應，我們研究的探查適用于更廣泛類別的新物理場景，在這