摻雜鉻（Cr）的氧化鋅ZnO薄膜通過金屬有機化學氣相沉積（MOCVD）技術(shù)在420°C的溫度下以不同的摻雜劑濃度沉積在玻璃基板上。 研究了鉻濃度對薄膜的形態(tài)，結(jié)構(gòu)，光學，電學和氣敏性能的影響。 掃描電子顯微鏡結(jié)果表明，Cr的濃度對結(jié)晶度，表面光滑度和晶粒尺寸有很大的影響。 X射線衍射（XRD）研究表明，薄膜本質(zhì)上是多晶的，并以六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)生長。 從光學測量獲得3.32至3.10 eV的直接光學帶能隙。 發(fā)現(xiàn)透射率隨著Cr摻雜濃度的增加而降低。 盧瑟福背散射光譜（RBS）分析還表明，Cr離子可替代地摻入ZnO中。 薄膜的IV特性顯示，室溫下的電阻率范圍為1.134×10-2·cm至1.24×1