在本文中，我們通過采用kT因式分解方法，計算了對ρ介子電磁形狀因數的次先校正（NLO）校正。 我們發現，對Fi（Q2）（i = LT，TL）的NLO校正約為Q2> 2GeV2區域中前導（LO）貢獻的30％。 在區域Q2> 3GeV2中，對FLL（Q2）的NLO校正接近LO one的20％。 對電，磁和四倍形狀因子Fj（Q2）（j = 1,2,3）的NLO輻射校正的幅度可觀，并且與其他方法的一致。