資源簡介
我們在整個相變的1 +1維p波超導體的完全反向反應全息模型中研究了子系統A的糾纏熵S A EE的行為。 對于給定的溫度,系統進入超導階段,超過電荷密度的臨界值。 糾纏熵被視為給定溫度下電荷密度的函數,在臨界點處出現尖峰。 此外,我們發現,在濃縮階段,取決于子系統的大小,存在三種不同的行為。 對于小于臨界尺寸l c 1的子系統尺寸l,隨著我們越過相變,S A EE繼續作為電荷密度的函數而增加。 當l在l c 1和另一個臨界大小l c 2之間時,糾纏熵顯示出非單調行為,而當l> l c 2時,糾纏熵單調減小。 在大電荷密度下,S A EE似乎飽和。 非單調行為導致了該系統的新穎相圖。
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