最小超對稱標準模型（MSSM）的框架中提供了一個中子希格斯玻色子與光子在電子-正電子碰撞中的單一產生的完整單環預測，并特別注意每種類型的單個貢獻 圖。 該過程在樹級別沒有幅度，因此對單環影響和希格斯的基本動態直接敏感。 為了研究新物理學的影響，有四種不同的方案，其中包括質量和耦合與發現的希格斯玻色子一致的希格斯玻色子，以及搜索其他希格斯玻色子和粒子邊界所允許的相當大的參數空間 ，在MSSM中選擇。 標準模型和MSSM中橫截面對c.m的依賴性。 通過考慮初始電子束和正電子束的極化來檢查能量。 還詳細研究了每種單回路圖對總橫截面的影響。 此外，針對每種情況，在平面mA-tanβ上掃描e-e +→γ