計算了光子發射（初始狀態輻射）在希格斯玻色子的直接生產過程的橫截面中對未來高發光度電子和μ子對撞機的影響。 已經發現，對于電子對撞機，希格斯玻色子共振峰的頂部的橫截面減小了0.348倍，對于μ子對撞機減小了0.548倍。 4.2 MeV（等于希格斯寬度）的質心能量的質心能量散布將使電子和μ子束的峰截面進一步減小0.170和0.256（QED和能量散布） 分別。 討論了恢復QED計算中可能存在的不確定性。 提供了包括QED在內的線形橫截面的數值結果以及許多質心能量散布值。