在這項(xiàng)研究中，探索了氧化鈰的射頻（RF）濺射以確定操作條件對玻璃和硅基板上氧化鈰膜生長的影響。 工藝變量是濺射時(shí)間，輸入功率和R（Ar / O2）比。 為了更好地理解工藝變量對生長機(jī)理的影響，采用SEM，XRD和α-step工藝研究了氧化鈰的晶粒尺寸和膜厚。 從SEM照片的結(jié)果，可以通過使用成像分析技術(shù)評估氧化鈰的晶粒。 另一方面，根據(jù)XRD數(shù)據(jù)，借助Scherrer方程，可以確定氧化鈰晶體的晶體尺寸。 晶粒尺寸大于初級尺寸，表明氧化鈰晶體的附聚。 另外，在回歸之后，本文討論了參數(shù)對晶體尺寸和膜厚度的影響。